金属担持処理方法、生産方法、金属担持素地及び金属担持処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：羽立幸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-245125
公開番号（公開出願番号）：特開2013-122088
出願日： 2012年11月07日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：

【課題】無機材料を含む素地であっても、金属担持処理が可能な金属担持処理方法等を提案する。【解決手段】素地に対して、大気圧プラズマ処理を行い、金属担持処理を行う。具体的には、素地に対して、例えばアルゴンと水素の混合ガスをプラズマ化したものを照射する。プラズマ中の電子が衝突してSi-Cの結合を切断し、Siダングリングボンドが生成される(ステップSTFF1)。次に、生成されたダングリングボンドがプラズマ中の水素ラジカルと結合し、SiがSi-Hとして水素終端される(ステップSTFF2)。そして、水素終端された素地を、例えば、Cuの水溶液に浸漬する等すると、HとCuの置換反応が進行し、Cuシリサイドが形成される(ステップSTFF3)。そこを触媒核として無電解Cuめっきが実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

無機材料に金属を担持させる金属担持処理方法であって、前記無機材料に対して大気圧プラズマ処理を行って、大気圧プラズマ照射された前記無機材料と前記金属とを結合させて、前記無機材料に前記金属を担持させる担持ステップを含む金属担持処理方法。

IPC (6件)：

C23C 18/18 , H05H 1/24 , B01J 23/44 , B01J 37/02 , C23C 18/32 , C23C 18/38

FI (6件)：

C23C18/18 , H05H1/24 , B01J23/44 M , B01J37/02 301N , C23C18/32 , C23C18/38

Fターム (35件)：

4G169AA01 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA17 , 4G169BB02A , 4G169BB02B , 4G169BB08B , 4G169BB15A , 4G169BB15B , 4G169BC16B , 4G169BC31B , 4G169BC68B , 4G169BC72B , 4G169BD04A , 4G169BD04B , 4G169BD05A , 4G169BD05B , 4G169CB02 , 4G169EA07 , 4G169FA02 , 4G169FA03 , 4G169FA05 , 4G169FB14 , 4G169FB21 , 4G169FB44 , 4G169FB58 , 4K022AA04 , 4K022AA05 , 4K022AA41 , 4K022BA08 , 4K022BA14 , 4K022CA12 , 4K022DA01 , 4K022DA03 , 4K022DB30

引用特許：

審査官引用 (2件)

無電解メッキ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-067188 出願人：積水化学工業株式会社
特許第3455610号

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