特許
J-GLOBAL ID：201303086404548212
電子写真感光体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桂田 健志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111179
公開番号（公開出願番号）：特開2013-238706
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】 矩形波の電圧の立ち上がり期間において電源から出力される充電電流、ならびに矩形波の電圧の立ち下がり期間において電源から出力される容量放電電流が、電源の耐電流を超え、電源が破損する恐れがあった。この電源の破損に伴う、生産効率の悪化、修理にともなうコストの増大が生じるという課題があった。【解決手段】 反応容器内に原料ガスを導入する工程と、接地電極に対向する電極に、放電開始電圧以上の電圧に達する第一の矩形波の電圧を電源から与え、プラズマCVD法によって前記反応容器内に設置した基体の上に堆積膜を成膜する成膜工程を含む電子写真感光体の製造方法であって、前記成膜工程より前に、放電開始電圧未満の第二の矩形波の電圧を、前記電極に与え、前記第二の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流を測定し、その測定値に基づいて、前記第一の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流が、常に前記電源の耐電流未満となるように、前記第一の矩形波の立ち上がり期間の時間を設定する波形設定工程を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応容器内に原料ガスを導入する工程と、接地電極に対向する電極に、放電開始電圧以上の電圧に達する第一の矩形波の電圧を電源から与え、プラズマCVD法によって前記反応容器内に設置した基体の上に堆積膜を成膜する成膜工程を含む電子写真感光体の製造方法であって、
前記成膜工程より前に、
放電開始電圧未満の第二の矩形波の電圧を、前記電極に与え、
前記第二の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流を測定し、その測定値に基づいて、前記第一の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流が、常に前記電源の耐電流未満となるように、前記第一の矩形波の立ち上がり期間の時間を設定する波形設定工程を含むことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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