特許

J-GLOBAL ID：201303086839416717

半導体素子及びその製造方法

発明者： 禹 元 植
出願人/特許権者： エスケーハイニックス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人中川国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-183335
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051415
出願日： 2012年08月22日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：

【課題】フラッシュメモリ素子の安全性及び信頼性を改善することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1方向に沿って延長された活性領域を含む半導体基板と、半導体基板の上部に第1方向に交差する第2方向に沿って形成されたセレクトラインと、セレクトラインの間の前記活性領域それぞれに形成されて第1不純物を含む接合領域と、セレクトラインの間の空間を埋め込む多層の酸化膜と、接合領域の下部に繋がれて半導体基板の活性領域に形成されて第2不純物を含む接合領域延長部と、多層の酸化膜のうち少なくともいずれか一層を貫通して接合領域及び接合領域延長部に接触されたコンタクトプラグと、を含む。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

第1方向に沿って延長された活性領域を含む半導体基板と、 前記半導体基板の上部に前記第1方向に交差する第2方向に沿って形成されたセレクトラインと、 前記セレクトラインの間の前記活性領域それぞれに形成されて第1不純物を含む接合領域と、 前記セレクトラインの間の空間を埋め込む多層の酸化膜と、 前記接合領域の下部に繋がれて前記半導体基板の活性領域に形成されて第2不純物を含む接合領域延長部と、 前記多層の酸化膜のうち少なくともいずれか一層を貫通して前記接合領域及び前記接合領域延長部に接触されたコンタクトプラグと、 を含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10

FI (3件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481

Fターム (33件)：

5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083GA02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA06 ,  5F083PR09 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH21