PZT系強誘電体薄膜及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-079194
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211328
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】従来の強誘電体薄膜と同等の誘電特性を備えつつ、更に高い寿命信頼性を備えるPZT系強誘電体薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】結晶面が(111)軸方向に配向した下部電極を有する基板の下部電極上に形成されるPZT系強誘電体薄膜において、下部電極上に形成されかつ(100)面に優先的に結晶配向が制御された層厚が45nm〜150nmの範囲内にある配向制御層と、配向制御層上に形成されかつ配向制御層の結晶配向と同じ結晶配向を有する膜厚調整層とを備え、配向制御層と膜厚調整層との間に界面を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶面が(111)軸方向に配向した下部電極を有する基板の前記下部電極上に形成されるPZT系強誘電体薄膜において、前記PZT系強誘電体薄膜が、前記下部電極上に形成されかつ(100)面に優先的に結晶配向が制御された層厚が45nm〜150nmの範囲内にある配向制御層と、前記配向制御層上に形成されかつ前記配向制御層の結晶配向と同じ結晶配向を有する膜厚調整層とを備え、前記配向制御層と前記膜厚調整層との間に界面を有することを特徴とするPZT系強誘電体薄膜。

IPC (13件)：

H01L 41/39 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 41/187 , H01L 41/18 , H01L 41/09 , H01L 27/108 , C04B 35/491 , C04B 35/49 , H01G 4/12 , H01G 4/33 , H01G 4/10 , H01L 21/316

FI (14件)：

H01L41/22 A , H01L27/10 444C , H01L41/18 101D , H01L41/18 101Z , H01L41/08 C , H01L27/10 651 , C04B35/49 A , C04B35/49 Z , H01G4/12 394 , H01G4/12 400 , H01G4/12 397 , H01G4/06 102 , H01G4/10 , H01L21/316 M

Fターム (46件)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031BA10 , 4G031CA01 , 4G031CA02 , 4G031CA04 , 4G031CA08 , 4G031GA06 , 4G031GA07 , 5E001AB01 , 5E001AC10 , 5E001AD04 , 5E001AE00 , 5E001AH01 , 5E001AH03 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5E082AB01 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082FG46 , 5E082FG54 , 5E082PP09 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F083AD60 , 5F083FR00 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34

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