特許
J-GLOBAL ID：201303086962822355

二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法

発明者：
姫田 雄一郎

姫田 雄一郎 について

, 
王 万輝

王 万輝 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-062042
公開番号（公開出願番号）：特開2013-193983
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】二酸化炭素の水素化によるギ酸の製造、ギ酸の脱水素化による水素の製造、水素の貯蔵および製造を高効率・高エネルギー効率で行える触媒の提供。【解決手段】式(1)で表される単核金属錯体。式(1)において、Q1〜Q4は窒素であるか、または窒素と炭素であり、X1〜X4はヒドロキシ基、等であり、R1〜R9は水素原子、アルキル基等であり、Yは任意の配位子であるか、または存在せず、mは正の整数、0、または負の整数である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下記式(1)で表される錯体配位子上の特定の位置に4つの酸素官能基(X1〜X4)を有する単核イリジウム錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩化合物。
IPC (5件)：
C07F 17/00 ,  B01J 31/22 ,  C01B 3/26 ,  C07C 51/00 ,  C07C 53/02
FI (5件)：
C07F17/00 ,  B01J31/22 Z ,  C01B3/26 ,  C07C51/00 ,  C07C53/02
Fターム (36件)：
4G140DA02 ,  4G140DC03 ,  4G169AA06 ,  4G169AA08 ,  4G169BA27A ,  4G169BA27B ,  4G169BC74A ,  4G169BC74B ,  4G169BE13A ,  4G169BE13B ,  4G169BE37A ,  4G169BE37B ,  4G169BE38A ,  4G169BE38B ,  4G169CB02 ,  4G169CB07 ,  4G169CB81 ,  4H006AA02 ,  4H006AC46 ,  4H006BA22 ,  4H006BA44 ,  4H006BA46 ,  4H006BA61 ,  4H006BB31 ,  4H006BE20 ,  4H006BE41 ,  4H006BS10 ,  4H039CA65 ,  4H039CB20 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4H050WB11 ,  4H050WB14 ,  4H050WB17 ,  4H050WB21
引用特許：
出願人引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (5件)
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