二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-062042
公開番号（公開出願番号）：特開2013-193983
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】二酸化炭素の水素化によるギ酸の製造、ギ酸の脱水素化による水素の製造、水素の貯蔵および製造を高効率・高エネルギー効率で行える触媒の提供。【解決手段】式(1)で表される単核金属錯体。式(1)において、Q1〜Q4は窒素であるか、または窒素と炭素であり、X1〜X4はヒドロキシ基、等であり、R1〜R9は水素原子、アルキル基等であり、Yは任意の配位子であるか、または存在せず、mは正の整数、0、または負の整数である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される錯体配位子上の特定の位置に4つの酸素官能基(X1〜X4)を有する単核イリジウム錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩化合物。

IPC (5件)：

C07F 17/00 , B01J 31/22 , C01B 3/26 , C07C 51/00 , C07C 53/02

FI (5件)：

C07F17/00 , B01J31/22 Z , C01B3/26 , C07C51/00 , C07C53/02

Fターム (36件)：

4G140DA02 , 4G140DC03 , 4G169AA06 , 4G169AA08 , 4G169BA27A , 4G169BA27B , 4G169BC74A , 4G169BC74B , 4G169BE13A , 4G169BE13B , 4G169BE37A , 4G169BE37B , 4G169BE38A , 4G169BE38B , 4G169CB02 , 4G169CB07 , 4G169CB81 , 4H006AA02 , 4H006AC46 , 4H006BA22 , 4H006BA44 , 4H006BA46 , 4H006BA61 , 4H006BB31 , 4H006BE20 , 4H006BE41 , 4H006BS10 , 4H039CA65 , 4H039CB20 , 4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB40 , 4H050WB11 , 4H050WB14 , 4H050WB17 , 4H050WB21

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