特許

J-GLOBAL ID：201303087510248690

六角棒状GaN系半導体結晶およびその製造方法

発明者： 栗原 香 ,  池田 宏隆
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-172310
公開番号（公開出願番号）：特開2013-035711
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】六角棒状GaN系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。【解決手段】GaN系半導体からなり、m面である表面を有する下地結晶10の前記表面上に、前記下地結晶10のc軸に沿って延びる複数のストライプ22を含むマスク20を形成する工程と、前記マスク22が形成された前記表面の上にGaN系半導体結晶30をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状GaN系半導体結晶の製造方法において、GaN系半導体結晶30は下地結晶10の露出面15から成長し始め、マスク20と略同じ厚さのGaN系半導体結晶膜40がまず形成される。更にGaN系半導体結晶30を成長させ続けると、GaN系半導体結晶膜40の上に六角棒状GaN系半導体結晶30が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN系半導体からなり、m面である表面を有する下地結晶の前記表面上に、前記下地結晶のc軸に沿って延びる複数のストライプを含むマスクを形成する工程と、 前記マスクが形成された前記表面の上にGaN系半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程と、 を含む、六角棒状GaN系半導体結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/20 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/20

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 170 ,  H01L21/205 ,  C30B25/20

Fターム (27件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045EE12 ,  5F045EM10 ,  5F045HA14