特許

J-GLOBAL ID：201303087529018521

高シートMOS抵抗器の方法および装置

発明者： アズウェル,セシル・ジェイムズ
出願人/特許権者： テキサス・アドヴァンスト・オプトエレクトロニクス・ソリューションズ・インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  秋元 芳雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-547740
特許番号：特許第5004393号
出願日： 2000年12月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 反転入力、非反転入力、および出力を有する増幅器と、 前記増幅器の非反転入力と出力の間に結合された分配MOS抵抗器デバイスであって、前記分配MOS抵抗器デバイスが、ドレイン端子、ソース端子、ドレイン端子とソース端子の間に配置されたチャネル領域、チャネル領域に隣接した単独のバルク端子、ソース端子に隣接した第1のゲート端子、ドレイン端子に隣接した第2のゲート端子、および第1のゲート端子と第2のゲート端子の間に配置された抵抗材料のゲート領域を備え、第1のゲート端子と第2のゲート端子に電圧をかけると、ゲート領域の両端間の電圧降下がチャネル領域内の電気チャネルの長さに沿って均等に分配され、第1のゲート端子が第1の信号に結合され、第2のゲート端子が第2の信号に結合される5端子分配MOS抵抗器デバイスを含む分配MOS抵抗器デバイスと、 前記増幅器の非反転入力と反転入力の間に結合されたフォトダイオードと、 規定されたマルチプレクサ制御入力に従って、前記フォトダイオードおよびテスト入力を前記増幅器の反転入力に多重化するマルチプレクサと、 を備えるトランスインピーダンス増幅器集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H03F 1/08 ( 200 6.01) ,  H03F 1/34 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/04 V ,  H01L 27/04 B ,  H03F 1/08 ,  H03F 1/34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-114184
  
• 特開昭58-053246