特許
J-GLOBAL ID：201303087588910063
基板上に薄膜を成長させる方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 臼井 伸一
, 藤野 育男
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 高梨 憲通
, 朝日 伸光
, 高橋 誠一郎
, 吉澤 弘司
, 松井 孝夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117468
公開番号（公開出願番号）：特開2002-004054
特許番号：特許第4836347号
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反応室に置いた基板の上にALD法に従って薄膜を成長させる方法であって、
- 気化温度に保った反応物発生源から反応物を気化させ、
- 気化した反応物を第1の導管を通じて反応室に導き、
- 上記反応物を気相パルスの形態で、少なくとも1つの他の反応物の気相パルスと交互に、繰り返し上記反応室に供給し、
- 気化した反応物は、これを反応室に供給する前に精製器に通し、
- 上記気相反応物を反応温度で基板の表面と反応させて基板上に薄膜化合物を形成する、
以上の各工程を含み、
- 反応物の気相パルスと気相パルスの間に、上記第1の導管に接続点で接続する第2の導管を通じて不活性ガスを第1の導管に供給することにより、反応物発生源から第1の導管を通って反応室内に至る気相反応物の流れに対して気相バリヤーを形成し、
- 気相反応物の凝縮温度と同じかそれより高い温度に保たれ、第2の導管より上流側で第1の導管に接続する第3の導管を通じて、不活性ガスを第1の導管から引き抜く、
以上のことを特徴とする方法。
IPC (6件)：
C23C 16/455 ( 200 6.01)
, B01J 3/00 ( 200 6.01)
, B01J 3/02 ( 200 6.01)
, B01J 19/00 ( 200 6.01)
, B03C 3/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C23C 16/455
, B01J 3/00 J
, B01J 3/02 M
, B01J 19/00 M
, B03C 3/28
, H01L 21/205
