特許

J-GLOBAL ID：201303087839510388

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 本多 稔 ,  中西 敏雄 ,  片山 大介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098769
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229372
出願日： 2012年04月24日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】結晶サイズが小さい多結晶シリコン層を低温で成長させる方法及び当該方法の実施に用いることが可能な装置および方法を提供する。【解決手段】被処理基体上に多結晶シリコン層を成長させるためのプラズマ処理方法であって、(a)処理容器内に被処理基体を準備する工程S1と、(b)プラズマ励起用のマイクロ波を処理容器内に導入し、シリコンを含有した原料ガスを処理容器内に導入して、被処理基体上に多結晶シリコン層を成長する工程S2と、を含む方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

被処理基体上に多結晶シリコン層を成長させるためのプラズマ処理方法であって、 処理容器内に被処理基体を準備する工程と、 プラズマ励起用のマイクロ波を前記処理容器内に導入し、シリコンを含有した原料ガスを前記処理容器内に導入して、前記被処理基体上に多結晶シリコン層を成長する工程と、 を含むプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B

Fターム (36件)：

4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA08 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA16 ,  4K030KA20 ,  4K030LA15 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045AF01 ,  5F045BB07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EH02 ,  5F045EK07 ,  5F045EM05