特許
J-GLOBAL ID：201303087926456470
光電変換素子の製造方法、光電変換素子および光電変換素子モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033787
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171904
出願日： 2012年02月20日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：
【課題】窒化物半導体を用いた大面積の光電変換素子を低コストで製造すること。【解決手段】光電変換素子の製造方法は、第1の基板上に多孔質層を形成する工程と、パターンエッチングによって多孔質層の一部を除去する工程と、多孔質層および第1の基板上にバッファ層を形成する工程と、バッファ層上にi型窒化物半導体層を形成する工程と、i型窒化物半導体層上にn型窒化物半導体層を形成する工程と、n型窒化物半導体層上に金属層を形成する工程と、切削工具を用いて第1の基板をバッファ層から除去する工程と、金属層に第2の基板を貼り付ける工程と、バッファ層を除去する工程と、バッファ層の除去後にi型窒化物半導体層の表面部にp型窒化物半導体層を形成する工程とを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
第1の基板上に多孔質層を形成する工程と、
パターンエッチングによって前記多孔質層の一部を除去する工程と、
前記多孔質層上および前記第1の基板上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上にi型窒化物半導体層を形成する工程と、
前記i型窒化物半導体層上にn型窒化物半導体層を形成する工程と、
前記n型窒化物半導体層上に金属層を形成する工程と、
切削工具を用いて前記第1の基板を前記バッファ層から除去する工程と、
前記金属層に第2の基板を貼り付ける工程と、
前記バッファ層を除去する工程と、
前記バッファ層の除去後に、前記i型窒化物半導体層の表面部にp型窒化物半導体層を形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F151AA08
, 5F151CB12
, 5F151CB15
, 5F151CB19
, 5F151CB21
, 5F151CB24
, 5F151CB30
, 5F151DA04
, 5F151EA18
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151FA18
, 5F151GA03
, 5F151GA04
, 5F151GA05
, 5F151GA11
, 5F151GA20
, 5F151JA02
