特許

J-GLOBAL ID：201303088240250899

櫛歯構造のシールド層及びそのワイヤレス充電トランスミッター

発明者： フランク ショルツ ,  ステファン グラフ ,  アンドレ ヴァルトシュミット ,  ラース ユング ,  マルコ ユング
出願人/特許権者： 建興電子科技股▲ふん▼有限公司 ,  ノヴェロ ダーベンドルフ ゲーエムベーハー
代理人 (3件)： 城村 邦彦 ,  熊野 剛 ,  田中 秀佳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-258683
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214705
出願日： 2012年11月27日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：

【課題】櫛歯構造のシールド層及びそのワイヤレス充電トランスミッターを提供する。【解決手段】ワイヤレス充電モジュール11は電源20に接続され、少なくとも一つのワイヤレス充電コイル及び少なくとも一つの櫛歯構造のシールド層12を有し、電源から発生する交流電力を磁場Hの電磁輻射に変換し、電子デバイス30をワイヤレス充電するようになされている。櫛歯構造のシールド層は、ワイヤレス充電モジュールと目標の電子デバイスの間に設けられ、磁場Hの電磁輻射が櫛歯構造のシールド層を介することができるようになされている。櫛歯構造のシールド層は、第一エリア及び第二エリアを含む。第一エリアは、基準電位に電気的に接続されている。第二エリアは、第一エリアを介して基準電位に電気的に接続され、電場Eの電磁輻射をシールドするが、磁場Hの電磁輻射が櫛歯構造のシールド層を介するようになされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基準電位に電気的に接続される第一エリアと、 前記第一エリアを介して前記基準電位に電気的に接続される櫛歯のエリアであり、電場Eの電磁輻射をシールドするが、前記電場Eの電磁輻射と関連する磁場Hの電磁輻射が前記櫛歯構造のシールド層を介するようになされている第二エリアと、 を備えることを特徴とする櫛歯構造のシールド層。

IPC (2件)：

H05K 9/00 ,  H02J 17/00

FI (2件)：

H05K9/00 H ,  H02J17/00 B

Fターム (4件)：

5E321AA11 ,  5E321AA14 ,  5E321BB60 ,  5E321GG07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-108218
  
• 電源装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365456   出願人：東光株式会社
• 高周波誘導加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-108261   出願人：株式会社島津製作所
• 特開昭56-108218