窒化物系半導体発光ダイオード

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-281889
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093601
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：

【課題】発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】このLEDチップ(窒化物系半導体発光ダイオード)30は、(000-1)面からなる結晶成長面12aと、結晶成長面12aと対向する領域に(11-22)面からなる結晶成長面12bとを含む発光素子層12と、発光素子層12に接合層33を介して接合される支持基板32とを備える。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

第1側面と、前記第1側面と対向する領域に第2側面とを含む窒化物系半導体層と、前記窒化物系半導体層に接合される支持基板と、を備え、前記窒化物系半導体層の主表面の法線方向は、それぞれ、[11-20]方向と略[10-10]方向とを結ぶ線([C+D、C、-2C-D、0]方向(C≧0およびD≧0であり、かつ、CおよびDの少なくともいずれか一方が0ではない整数))、および、[11-20]方向と略[11-2-5]方向とを結ぶ線([1、1、-2、-E]方向(0≦E≦5))、および、[10-10]方向と略[10-1-4]方向とを結ぶ線([1、-1、0、-F]方向(0≦F≦4))、および、略[11-2-5]方向と略[10-1-4]方向とを結ぶ線([G+H、G、-2G-H、-5G-4H]方向(G≧0およびH≧0であり、かつ、GおよびHの少なくともいずれか一方が0ではない整数))によって囲まれる範囲にあり、少なくとも前記第1側面または前記第2側面のいずれか一方は、前記窒化物系半導体層の主表面に対して傾斜するように形成されている、窒化物系半導体発光ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 33/24 , H01L 33/32 , H01L 33/18

FI (3件)：

H01L33/00 174 , H01L33/00 186 , H01L33/00 162

Fターム (12件)：

5F141AA03 , 5F141AA40 , 5F141CA23 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA74 , 5F141CA75 , 5F141CA76 , 5F141CA77 , 5F141CA88 , 5F141CA92 , 5F141CB11

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