特許
J-GLOBAL ID：201303088489784672
伝送線路及び電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-058835
公開番号（公開出願番号）：特開2013-192178
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】 高い自己共振周波数を維持したまま、大きなインダクタンス値が得られ、かつQ値の劣化の少ない短絡系のインダクタ素子を内蔵する伝送線路及びこの伝送線路を備えた電子部品を提供すること。【解決手段】 両面が第2及び第3の接地導体32、33で挟まれた第2の誘電体層22内に当該接地導体32、33と平行に導電路10を設けてなるトリプレート構造の伝送線路において、第2接地導体32の更に下方側に第1の誘電体層21及び第1の接地導体31を積層し、導電路10から第1の接地導体31まで短絡ビア4を貫通させている。そして導電路10の周囲に複数の結合ビア41を使用する周波数帯における伝搬波長の1/20以下で設けているため、導波管のように、外部からの電磁波の入射が遮られると共に内部から外部へのエネルギーの逃げが抑えられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
両面が接地導体で挟まれた誘電体層内に当該接地導体と平行に導電路を設けてなる伝送線路において、
第1の接地導体、第1の誘電体層、第2の接地導体、第2の誘電体層及び第3の接地導体をこの順に積層してなる積層基板と、
前記第2の誘電体層内に設けられた導電路と、
前記導電路の一端側から前記第2の誘電体層、前記第2の接地導体及び第1の誘電体層を貫通して第1の接地導体まで伸びる短絡ビアと、
前記積層基板における第3の接地導体側の面に形成された回路部分から前記導電路の他端側まで前記第2の誘電体層内を貫通する接続用ビアと、
前記第2の接地導体及び第3の接地導体を互いに結合させるために前記第2の誘電体層を貫通して設けられると共にこれら接地導体にその両端が接続され、前記導電路を囲むように互いに間隔をおいて配置された複数の結合ビアと、を備え、
前記複数の結合ビアの配列間隔は、使用する周波数帯における伝搬波長の1/20以下であることを特徴とする伝送線路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5J014CA57
, 5J081AA03
, 5J081AA11
, 5J081CC30
, 5J081DD03
, 5J081DD24
, 5J081EE03
, 5J081EE09
, 5J081EE18
, 5J081KK02
, 5J081KK09
, 5J081KK22
, 5J081LL05
, 5J081MM01
, 5J081MM07
, 5J081MM09
