特許

J-GLOBAL ID：201303088596683137

水素吸蔵合金およびそれを用いたニッケル-水素二次電池

発明者： 川島 史行 ,  坂本 敏也 ,  新井 智久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300643
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105563
特許番号：特許第4965760号
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 一般式:(Mg1-xRx)(Ni1-yTy)z (式中、RはYを含む希土類元素、Zr、HfおよびCaから選ばれる少なくとも1種の元素を、TはCo、Mn、Fe、Al、Ga、Zn、Sn、Cu、Si、Cr、Ti、V、NbおよびBから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、x、yおよびzはそれぞれ0.5≦x≦0.95、0.005≦y≦0.8、3.0<z<4.5を満足する数である)で表される組成を有する水素吸蔵合金であって、 前記合金の結晶の格子面群は、面間隔が0.58〜0.67nmである格子面を有し、前記合金のX線回折パターンを測定した際に、前記面間隔が0.58〜0.67nmである格子面からの回折線のピーク強度I1と全ピーク内の最強線のピーク強度I2との比(I1/I2)が0.01以上0.05以下であり、前記合金は鋳造時から800°Cまでの冷却速度が3〜8.8°C/secである鋳造法により製造されたことを特徴とする水素吸蔵合金。

IPC (4件)：

C22C 19/00 ( 200 6.01) ,  H01M 4/24 ( 200 6.01) ,  H01M 4/38 ( 200 6.01) ,  H01M 10/30 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C22C 19/00 F ,  H01M 4/24 J ,  H01M 4/38 A ,  H01M 10/30 Z ,  H01M 10/30 ZHV

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 水素吸蔵合金及び二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-170326   出願人：株式会社東芝