特許

J-GLOBAL ID：201303088684816988

接合基板及びその製造方法

発明者： シュア ジョン ウォン ,  キム ドンヒュン ,  キム ドン-ウン ,  キム ミキョン ,  キム ミンジュ ,  パク スン ヨン ,  イ ボヒュン ,  ジャン ボンヒ
出願人/特許権者： サムスンコーニング精密素材株式会社
代理人 (1件)： 八木澤 史彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-226706
公開番号（公開出願番号）：特開2013-089960
出願日： 2012年10月12日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
要約：

【課題】本発明は、接合基板及びその製造方法に関し、より詳しくは、複数の溝を有する接合基板及びその製造方法に関する。【解決手段】このために、本発明は、第1の基板にイオンを注入してイオン注入層を形成するイオン注入段階と、前記第1の基板を複数の溝が形成された第2の基板に接合する接合段階、及び前記第1の基板を前記イオン注入層を基準に分離する分離段階と、を含むことを特徴とする接合基板の製造方法を提供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の基板にイオンを注入してイオン注入層を形成するイオン注入段階と、 前記第1の基板を、一方の面に複数の溝が形成された第2の基板に接合し、前記一方の面が前記第1の基板に接合されるように接合する接合段階と、 前記第1の基板を前記イオン注入層を基準に分離する分離段階と、 を含むことを特徴とする接合基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  B23K 20/00

FI (2件)：

H01L21/02 B ,  B23K20/00 310L

Fターム (7件)：

4E167AA17 ,  4E167BA05 ,  4E167CA05 ,  4E167CA11 ,  4E167CA12 ,  4E167CC03 ,  4E167DA05