レジスト組成物、レジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-204956
公開番号（公開出願番号）：特開2013-068646
出願日： 2011年09月20日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A)(ただし前記樹脂成分(C)を除く。)と、を含有し、前記樹脂成分(C)中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル%以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A)(ただし前記樹脂成分(C)を除く。)と、を含有し、前記樹脂成分(C)中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル%以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 120/10 , C08F 112/14 , C08F 120/58

FI (7件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 503A , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , C08F120/10 , C08F112/14 , C08F120/58

Fターム (77件)：

2H125AF17P , 2H125AF34P , 2H125AF45P , 2H125AH05 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AH29 , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ45Y , 2H125AJ52X , 2H125AJ63X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ69X , 2H125AM12P , 2H125AM15P , 2H125AM22P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN02P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN54P , 2H125AN63P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB16 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 4J100AB00P , 4J100AB07P , 4J100AB07R , 4J100AJ02R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AM21P , 4J100AM21Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA02R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA11Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA20P , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB07R , 4J100BB10Q , 4J100BB10R , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC02Q , 4J100BC04R , 4J100BC09Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC43R , 4J100BC49P , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

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