不純物拡散方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-103767
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232529
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

【課題】薄膜に対して、より短時間で、より高濃度に不純物を気相拡散させることが可能な不純物拡散方法を提供すること。【解決手段】処理室に、薄膜が形成された被処理体を搬入する工程(ステップ1)と、処理室内で、薄膜が形成された被処理体を気相拡散温度まで昇温する工程(ステップ3)と、処理室内に、不純物を含有する不純物含有ガスを不活性ガスとともに供給し、気相拡散温度に昇温された被処理体に形成された薄膜中に不純物を拡散させる工程(ステップ4)と、を備え、ステップ4において、処理室内に、不純物含有ガス及び不活性ガスとともに、薄膜への不純物の拡散を促進させる不純物拡散促進ガスを同時に供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜中に不純物を拡散させる不純物拡散方法であって、 (1) 処理室に、前記薄膜が形成された被処理体を搬入する工程と、 (2) 前記処理室内で、前記薄膜が形成された被処理体を気相拡散温度まで昇温する工程と、 (3) 前記処理室内に、前記不純物を含有する不純物含有ガスを不活性ガスとともに供給し、前記気相拡散温度に昇温された前記被処理体に形成された前記薄膜中に前記不純物を拡散させる工程と、を備え、前記(3)工程において、前記処理室内に、前記不純物含有ガス及び前記不活性ガスとともに、前記薄膜への前記不純物の拡散を促進させる不純物拡散促進ガスを同時に供給することを特徴とする不純物拡散方法。

IPC (6件)：

H01L 21/223 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L21/223 Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (10件)：

5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP27 , 5F083GA27 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD35

引用特許：

出願人引用 (5件)

浅い電気的接合の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109808 出願人：ヒユーレツト・パツカード・カンパニー
気相ドーピング装置および気相ドーピング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367230 出願人：ソニー株式会社
特開平4-219927

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審査官引用 (7件)

浅い電気的接合の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109808 出願人：ヒユーレツト・パツカード・カンパニー
気相ドーピング装置および気相ドーピング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367230 出願人：ソニー株式会社
特開平4-219927

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