特許

J-GLOBAL ID：201303088903314713

半導体試験装置

発明者： 吉岡 耕治
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-024194
公開番号（公開出願番号）：特開2013-162032
出願日： 2012年02月07日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：

【課題】 リピータビリティに優れ、メンテナンスが容易な半導体ウェハのプロービング試験装置を提供する。【解決手段】 プローブ針11の酸化を防止するための酸化防止ガスを供給する気体注入口が、ウェハ14の外側面を囲むようにプローバ内のウェハプロービングステージに取り付けられた遮蔽構造物13の内側壁に設けられている。かかる気体注入口から、酸化防止ガス23を、ウェハの外周部、及び、ウェハ表面上を経由してプローブ針11のウェハとの接触部分に向かって流すことにより、プローブ針周辺のガス雰囲気を酸化防止ガスで維持する。これにより、噴射ノズルをプローブカード12の上部に設置する必要がないため、プローブカードの交換に伴うノズルの位置調整を不要とする。また、プローブカードの構成を問わず、垂直型プローブカードにおいても酸化防止ガスの吹き付けを可能とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェハのプロービング試験を行なう半導体試験装置であって、 プローブ針の酸化を防止するための気体を供給する1又は複数の第1気体注入口と、 プローバ内のウェハプロービングステージに取り付けられた、前記ウェハの外側面を囲む遮蔽構造物を備え、 前記第1気体注入口が、前記遮蔽構造物の内側壁に設けられており、 前記第1気体注入口から、前記気体を前記ウェハ外周部および前記ウェハ表面上を経由して前記プローブ針の前記ウェハとの接触部分に向かって流し、前記プローブ針周辺に前記気体を滞留させることを特徴とする半導体試験装置。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 B

Fターム (5件)：

4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106DD10 ,  4M106DD22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-268313   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-268313   出願人：富士通株式会社