特許
J-GLOBAL ID：201303089292655974
固体電解コンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-063427
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093539
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：
【課題】 静電容量の低下が少なく、ショート不良やオープン不良の発生が抑制され、従来に比べて製造歩留まりが高い固体電解コンデンサを提供すること。【解決手段】 拡面化されたアルミニウム箔を陽極体1とし、その陰極電極部20が形成される部分の端面を含めたすべての表面に誘電体酸化皮膜2が形成され、誘電体酸化皮膜2上に第一の導電性高分子層5が形成され、その上の端面および端面からの距離が0.03mm〜1mmの範囲に絶縁性樹脂層12が形成され、さらに、それらの上に第二の導電性高分子層6が形成されている。その上の絶縁性樹脂層12が形成されていない部分に第一の導電性樹脂層7が形成され、さらに、それらの上に、第二の導電性樹脂層8、第三の導電性樹脂層9が形成されている。第一の導電性樹脂層7の厚さは絶縁性樹脂層12の厚さと同程度である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面が多孔質状に拡面化された平板状または箔状の弁作用金属を陽極体とし、陽極電極部および陰極電極部を備える固体電解コンデンサにおいて、前記弁作用金属の前記陰極電極部が形成される部分の端面を含めたすべての表面に誘電体酸化皮膜が形成され、前記誘電体酸化皮膜上に第一の導電性高分子層が形成され、前記弁作用金属の端面および前記弁作用金属の端面からの距離が0.03mm〜1mmの範囲の前記第一の導電性高分子層上に絶縁性樹脂層が形成され、前記第一の導電性高分子層上および前記絶縁性樹脂層上に第二の導電性高分子層が形成され、前記絶縁性樹脂層が形成されていない部分の前記第二の導電性高分子層上に第一の導電性樹脂層が形成され、前記第二の導電性高分子層上および前記第一の導電性樹脂層上に第二の導電性樹脂層が形成され、前記第一の導電性樹脂層および第二の導電性高分子層の厚さは、前記絶縁性樹脂層の厚さの0.9倍以上1.1倍以下であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G9/05 G
, H01G9/02 331F
