特許
J-GLOBAL ID:201303089335644718
In-Situ成長させたゲート誘電体およびフィールドプレート誘電体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-270217
公開番号(公開出願番号):特開2013-140956
出願日: 2012年12月11日
公開日(公表日): 2013年07月18日
要約:
【課題】高品質のゲート誘電体およびフィールドプレート誘電体を有するヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)を提供するための方法および装置を提供する。【解決手段】半導体表面上にゲート誘電体108およびフィールドプレート誘電体110をin-situ堆積させる。ゲート電極118の位置は、フィールドプレート誘電体110に第1のパターンをエッチングしてゲート誘電体108をエッチングストップとして用いることによって、規定されてもよい。代替的に、ゲート誘電体108とフィールドプレート誘電体110との間にさらなるエッチングストップ層をin-situ堆積させてもよい。第1のパターンをエッチングした後、ゲート電極118を規定するように導電性材料を堆積させてパターニングしてもよい。半導体表面と電気的に接触するソース電極112およびドレイン電極114が、ゲート電極118の両側に形成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電界効果トランジスタ(field effect transistor)(FET)を作製するための方法であって、
in-situ原子層堆積(atomic layer deposition)(ALD)プロセスにおいて、上面に第1の半導体膜を有するウェハ上に第1の誘電体膜および第2の誘電体膜を堆積させるステップを備え、前記第1の誘電体膜は前記第1の半導体膜上に堆積され、前記第2の誘電体膜は前記第1の誘電体膜上に堆積され、前記方法はさらに、
ゲート電極の位置を規定するように前記第2の誘電体膜に第1のパターンをエッチングするステップと、
前記第1のパターン上に導体を堆積させるステップと、
前記第1のパターンの一部と重なる第2のパターンを規定するように前記導体の一部をエッチングするステップとを備え、前記第2のパターンはゲート電極を規定する、方法。
IPC (11件):
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 29/41
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 29/06
FI (9件):
H01L29/80 F
, H01L29/80 H
, H01L29/78 301B
, H01L29/78 618B
, H01L21/28 301B
, H01L29/44 Y
, H01L29/44 S
, H01L29/58 G
, H01L29/06 301F
Fターム (93件):
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB30
, 4M104BB40
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD78
, 4M104EE03
, 4M104EE06
, 4M104EE12
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104FF06
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104GG08
, 4M104GG18
, 4M104HH20
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ05
, 5F102GJ06
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR12
, 5F102GS04
, 5F102GV06
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F110AA12
, 5F110CC01
, 5F110DD04
, 5F110DD12
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE22
, 5F110EE50
, 5F110FF01
, 5F110GG04
, 5F110GG12
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK22
, 5F110HK42
, 5F110NN02
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, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F140AA25
, 5F140BA01
, 5F140BA02
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, 5F140BA16
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, 5F140BD11
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, 5F140BF04
, 5F140BF05
, 5F140BF06
, 5F140BF07
, 5F140BF10
, 5F140BF42
, 5F140BJ07
, 5F140BJ11
, 5F140BJ15
, 5F140BJ17
, 5F140BK38
, 5F140CC02
, 5F140CC03
, 5F140CC08
, 5F140CD09
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