特許

J-GLOBAL ID：201303089477795829

光起電力装置の製造方法および光起電力装置

発明者： 中村 玲王奈 ,  桂 智毅 ,  由良 信介 ,  谷垣 剛司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104583
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232581
出願日： 2012年05月01日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

【課題】レーザ加工によるダメージに起因する基板の強度低下やライフタイムの特性劣化を生じることのない半導体装置を得ること。【解決手段】単結晶シリコン基板1にレーザ直接照射により、アイランド状に加工変質層が配列されたレーザ照射部2を形成するレーザ照射工程と、レーザ照射部2を、異方性エッチングによって選択的にエッチングし、逆ピラミッド状のテクスチャを形成するエッチング工程と、逆ピラミッド状のテクスチャの形成された面が受光面となるように、光電変換部を形成するとともに、電極を形成し光起電力装置を形成する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図1-1

請求項（抜粋）：

半導体基板にレーザ直接照射により、アイランド状に加工変質層が配列されたレーザ照射部を形成するレーザ照射工程と、 前記レーザ照射部を、異方性エッチングによって選択的にエッチングし、逆ピラミッド状のテクスチャを形成するエッチング工程と、 前記逆ピラミッド状のテクスチャの形成された面が受光面となるように、光電変換部を形成するとともに、電極を形成し光起電力装置を形成する工程とを含むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/306 ,  B23K 26/00

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/306 S ,  B23K26/00 H

Fターム (23件)：

4E068AA01 ,  4E068AH00 ,  4E068CA07 ,  4E068CA09 ,  4E068CE04 ,  4E068DA10 ,  4E068DB11 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD15 ,  5F043EE07 ,  5F043FF03 ,  5F043FF04 ,  5F043GG10 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB21 ,  5F151DA03 ,  5F151EA10 ,  5F151EA16 ,  5F151EA18 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15