p型半導体材料

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島司朗 , 小林国人 , 川畑孝二 , 木村公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-130466
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004529
出願日： 2011年06月10日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

【課題】低温でも良好に薄膜形成できるp型ZnO系半導体材料を提供する。【解決手段】 ZnOとNiOの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Zn1-xNixO薄膜を基板上に形成する。Zn1-xNixO(xは、ZnとNiの合計モル数に対するNiモル数の比率である)は、ZnOとNiOとが混合した酸化物であり、xの値は0.65以下に設定してZnOに対する価電子帯トップのオフセット量を1eV以内に抑えることが好ましく、xの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをp型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Zn1-XNiXOにおけるXの値は0.13以上であることが好ましい。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

3d電子を最外殻に持ち4s軌道よりも3d軌道のエネルギレベルが高い元素と、亜鉛と、酸素とを含有する組成を有し、バンドギャップが3.0eV以上であるp型半導体材料。

IPC (2件)：

H01L 33/28 , C23C 14/08

FI (2件)：

H01L33/00 182 , C23C14/08 K

Fターム (20件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 5F041AA21 , 5F041AA40 , 5F041CA03 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F041CA88 , 5F141AA21 , 5F141AA40 , 5F141CA03 , 5F141CA41 , 5F141CA46 , 5F141CA67 , 5F141CA88

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