特許

J-GLOBAL ID：201303090200217443

半硬質磁性材料及びそれを用いてなる盗難防止用磁気センサ並びに半硬質磁性材料の製造方法

発明者： 藤吉 優 ,  横山 紳一郎
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 塩田 康弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-548290
特許番号：特許第5187464号
出願日： 2012年08月17日
要約：

【要約】 盗難防止用磁気センサの磁気バイアス条帯に求められる保磁力と残留磁束密度を従来の半硬質磁性材料と同じ範囲に維持しつつ、Ni含有量を低減した省資源型の半硬質磁性材料とそれを用いてなる盗難防止用磁気センサ並びに半硬質磁性材料の製造方法を提供する。 質量%でNi:5.0%以上13.0%未満、Mn:0.5%以上4.0%以下、Al:0%を超え3.0%以下、Ti:0%を超え1.0%以下、残部はFe及び不純物からなり、保磁力が1000〜2400A/m、残留磁束密度が1.3T以上である半硬質磁性材料である。前述の半硬質磁性材料の製造方法は、冷間圧延後の薄板に520〜680°Cの温度範囲で時効処理を行い、保磁力が1000〜2400A/m、残留磁束密度が1.3T以上とする半硬質磁性材料の製造方法である。 【選択図】図2

請求項（抜粋）：

【請求項1】 質量%でNi:5.0%以上13.0%未満、Mn:0.5%以上4.0%以下、Al:0%を超え3.0%以下、Ti:0%を超え1.0%以下、残部はFe及び不純物からなり、保磁力が1000〜2400A/m、残留磁束密度が1.3T以上であることを特徴とする半硬質磁性材料。

IPC (3件)：

C22C 38/00 ( 200 6.01) ,  C21D 6/00 ( 200 6.01) ,  H01F 1/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C22C 38/00 ,  C21D 6/00 ,  H01F 1/06