特許

J-GLOBAL ID：201303090482599980

スパッタリングターゲット、トランジスタ、焼結体の製造方法、トランジスタの製造方法、電子部品または電気機器、液晶表示素子、有機ELディスプレイ用パネル、太陽電池、半導体素子および発光ダイオード素子

発明者： 上野 崇
出願人/特許権者： エスピーエム エージー セミコンダクターパーツアンドマテリアル
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207433
公開番号（公開出願番号）：特開2013-067835
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】MoS2を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がMoS2および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がMoS2および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/547 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627C

Fターム (42件)：

4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA17 ,  4G030AA18 ,  4G030AA19 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA29 ,  4G030AA30 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA38 ,  4G030AA39 ,  4G030AA55 ,  4G030BA01 ,  4G030CA07 ,  4G030CA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA27 ,  4K029BD01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG43