特許

J-GLOBAL ID：201303090668648018

薄膜製造装置

発明者： 清水 均
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (2件)： 廣瀬 一 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037154
公開番号（公開出願番号）：特開2013-170314
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】反応生成物の堆積量が低減できる薄膜製造装置を提供する。【解決手段】固定挟持部材21の底壁211の露出面(底壁面の高電圧電極11から外れた位置)211Rに、反応ガスの排出口となる貫通穴211bを設ける。高電圧電極11の可撓性基板1側とは反対側の面と成膜室20の底壁21との間に、例えば絶縁板4を配置することにより、空間を設けない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成膜室と、前記成膜室内に、基板を挟んで対向配置される板状の接地電極および高電圧電極と、を有し、 前記高電圧電極から反応ガスを前記基板に向けて吹き出させるとともに、前記接地電極と高電圧電極との間に電圧を印加することにより、前記反応ガスを分解してプラズマを発生させて、プラズマCVD法により前記基板に薄膜を形成する薄膜製造装置であって、 前記成膜室は、前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面に対向する底壁面と、前記高電圧電極の側面に対向する側壁面を有し、 前記底壁面の前記高電圧電極から外れた位置に、前記反応ガスの排出口を有し、 前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面と前記成膜室の前記底壁面との間に空間を有さないことを特徴とする薄膜製造装置。

IPC (1件)：

C23C 16/455

FI (1件)：

C23C16/455

Fターム (10件)：

4K030BA30 ,  4K030CA17 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030GA14 ,  4K030KA08 ,  4K030KA12 ,  4K030KA14 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16