特許

J-GLOBAL ID：201303090711670880

パターン形成方法

発明者： 柳 真路
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-067100
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201173
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

【課題】パターン形成後に、異なる製造条件の2種類のパターンの寸法を独立して測定するのを可能とすること。【解決手段】基板上にパターンを形成するパターン形成方法は、マスクパターンを構成するパターン幅以上切断した部分から成る目印の付いたマスクパターンを用いて、サイドウォール型のダブルパターニング法により、基板上にパターンを形成する。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、 目印の付いたマスクパターンを用いて前記基板上にパターンを形成すること、を特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/38 ,  G03F 7/40

FI (6件)：

H01L21/30 502C ,  H01L21/30 570 ,  G03F1/38 ,  G03F7/40 521 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502P

Fターム (4件)：

2H095BC09 ,  2H096HA05 ,  2H096HA17 ,  5F146LA18