特許
J-GLOBAL ID:201303090771506213

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-249849
公開番号(公開出願番号):特開2013-105952
出願日: 2011年11月15日
公開日(公表日): 2013年05月30日
要約:
【課題】 シリコン基板上に量子ドット層を有する構成において発電効率を高めることのできる太陽電池を得る。 【解決手段】 シリコン基板の主面上に、積層された複数の量子ドット層を有する太陽電池であって、前記量子ドット層は、複数の量子ドットがマトリクス中に近接するように配置された量子ドット集合体が複数点在するように構成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
シリコン基板の主面上に量子ドット層を有する太陽電池であって、 前記量子ドット層は、複数の量子ドットがマトリクス中に近接するように配置された量子ドット集合体が点在するように構成されていることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 L
Fターム (6件):
5F151AA01 ,  5F151CB12 ,  5F151CB15 ,  5F151CB24 ,  5F151DA20 ,  5F151GA04

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