特許

J-GLOBAL ID：201303091069285574

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 黒木 貴裕 ,  佐藤 里奈 ,  岸本 克彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-289931
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140850
出願日： 2011年12月28日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：

【課題】光電変換層を挟む電極間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】光電変換装置10は、基板1上に、第1電極2とシリコンからなる光電変換層3と第2電極4とをこの順に積層してなる、光電変換層3の側面部分は、側面酸化シリコン層34となっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、第1電極とシリコンからなる光電変換層と第2電極とをこの順に積層してなる光電変換装置において、 上記光電変換層の側面部分は、酸化シリコン層となっていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 S

Fターム (26件)：

5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA16 ,  5F151DA04 ,  5F151DA17 ,  5F151EA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151FA19 ,  5F151FA23 ,  5F151GA03 ,  5F151GA06 ,  5F151HA20