特許
J-GLOBAL ID：201303091132058664
炭化珪素単結晶製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-165719
公開番号（公開出願番号）：特開2013-028491
出願日： 2011年07月28日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：
【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、かつ、SiC単結晶の成長表面の保温や形状制御を行い易くすることができるSiC単結晶製造装置を提供する。【解決手段】反応容器7と成長結晶引上保温ガイド10との間に隙間を設け、この隙間を通じて原料ガス3のうちの未反応ガスが外側に排出されるようにする。つまり、台座9の外周を通過して真空容器6の上方から未反応ガスを排出する形態ではなく、台座9の下方においてSiC単結晶20の径方向外側に向かって未反応ガスを排出する形態とする。このため、台座9の外周を通過する場合と比較して、排出経路の幅を広くすることが可能になり、排出経路の詰まりを更に抑制することが可能になる。また、台座9の外周の排出経路の詰まりを見込む必要がないため、第2加熱装置14の制御に基づいてSiC単結晶20の成長表面の保温や形状制御を行うことが容易となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空容器(6)内に配置された台座(9)に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(5)を配置し、該種結晶(5)の下方から炭化珪素の原料ガス(3)を供給することにより、前記種結晶(5)の表面に炭化珪素単結晶(20)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記真空容器(6)の底面に配置され、前記原料ガス(3)の導入を行う導入口(2)と、
前記真空容器(6)内において該真空容器(6)の底面側から前記台座(9)側に向けて延設され、前記原料ガス(3)を通過させる中空部を有し、前記原料ガス(3)を加熱分解して前記種結晶(5)に向けて供給する筒状部材で構成された反応容器(7)と、
前記反応容器(7)の外周に配置され、前記反応容器(7)の加熱を行う第1加熱装置(13)と、
前記台座(9)の外周に配置され、前記種結晶(5)の表面に成長させられる前記炭化珪素単結晶(20)の成長表面を保温する第2加熱装置(14)と、
前記真空容器(6)のうち前記第1、第2加熱装置(13、14)よりも外側に配置され、前記原料ガス(3)のうちの未反応ガスを排出する排出口(4)とを有し、
前記反応容器(7)より供給される前記原料ガス(3)が前記台座(9)側に供給されたのち、前記反応容器(7)と前記炭化珪素単結晶(20)との間において、前記炭化珪素単結晶(20)の径方向外側に流動させられことで、前記真空容器(6)のうち前記第1、第2加熱装置(13、14)よりも外側に流動させられ、前記排出口(4)を通じて排出されるように構成されていることを特徴とする炭化珪素単結晶製造装置。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 25/14
, C30B 25/10
C30B29/36 A
, C30B25/14
, C30B25/10
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077EG15
, 4G077EG21
, 4G077TA01
, 4G077TA11
, 4G077TE10
, 4G077TH06
