特許
J-GLOBAL ID：201303091249700723
ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-014646
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157361
出願日： 2012年01月26日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】パワーモジュール用基板とヒートシンクとの接合時のフラックスの排出性を改善して、ヒートシンクとの接合信頼性が高いパワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】ヒートシンクと、ヒートシンクに接合される金属層13がセラミックス基板の表面に接合されてなるパワーモジュール用基板とを接合してヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、ヒートシンク接合面に複数の溝14が形成された金属層13において、前記ヒートシンク接合面および側面の少なくとも一部にろう材に対する濡れ性を低下させるBN,TiO2,SiO2,MgOの撥液性粉末を塗布しておき、金属層13の基板接合面と前記セラミックス基板との間をろう付けして前記パワーモジュール用基板を形成し、金属層13の前記ヒートシンク接合面と前記ヒートシンクとをフラックスを用いたろう付により接合する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ヒートシンクと、このヒートシンクに接合される金属層がセラミックス基板の表面に接合されてなるパワーモジュール用基板とを接合してヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、
前記ヒートシンクを接合するヒートシンク接合面に複数の溝が形成された前記金属層において、前記ヒートシンク接合面および前記金属層の側面の少なくとも一部に、ろう材に対する濡れ性を低下させるBN,TiO2,SiO2,MgOのいずれか一種または二種以上を含む撥液性粉末を塗布しておき、
前記金属層の基板接合面と前記セラミックス基板との間をろう付けして前記パワーモジュール用基板を形成し、
前記金属層の前記ヒートシンク接合面と前記ヒートシンクとをフラックスを用いたろう付により接合することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/40
, H01L 23/12
, H01L 23/36
H01L23/40 F
, H01L23/12 J
, H01L23/36 C
5F136BA00
, 5F136BB04
, 5F136DA27
, 5F136EA41
