特許
J-GLOBAL ID：201303091252574275
固体撮像装置、カメラ、および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-063299
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197333
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】簡便な構造によってFDアンプにおける変換効率を高めることが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換部の信号電荷を読み出すために半導体基板3上に設けられた水平出力ゲートHOGと、これ隣接して半導体基板3の表面層に設けられたフローティングディフュージョンFDと、これ隣接して半導体基板3の上部に配置されたリセットゲートRGと、半導体基板3の上部に配置されたアンプゲートAGと両脇の半導体基板3の表面層に設けられたソース21s/ドレイン21dを有するアンプトランジスタATrと、アンプゲートAGとフローティングディフュージョンFDとを接続するゲート配線17と、ソース21sに接続されると共に、ゲート配線17脇においてフローティングディフュージョンFDの上部を覆う状態に延設されたソース電極23sとを備えた固体撮像装置1-1である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に配列された光電変換部と、
前記光電変換部の信号電荷を読み出すために前記半導体基板上に設けられた出力ゲートと、
前記出力ゲートに隣接して前記半導体基板の表面層に設けられたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンに隣接して前記半導体基板の上部に配置されたリセットゲートと、
前記半導体基板の上部に配置されたアンプゲートおよび当該アンプゲートの両脇の当該半導体基板の表面層に設けられたソース/ドレインを有するアンプトランジスタと、
前記アンプゲートと前記フローティングディフュージョンとを接続するゲート配線と、
前記アンプトランジスタのソースに接続されると共に、前記ゲート配線脇において前記フローティングディフュージョンの上部を覆う状態に延設されたソース電極とを備えた
固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 B
, H04N5/335 690
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118BA14
, 4M118CA01
, 4M118DD04
, 4M118DD08
, 4M118FA06
, 4M118GD03
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024EX42
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GX18
, 5C024GY01
, 5C024HX12
, 5C024HX13
, 5C024HX17
, 5C024HX40
