特許

J-GLOBAL ID：201303091611205469

ドライエッチング装置

発明者： 坂尾 洋介 ,  竹井 日出夫 ,  佐藤 宗之 ,  池田 智 ,  大竹 文人
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 特許業務法人青莪
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-118169
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247167
出願日： 2012年05月24日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：

【課題】基板ステージの構造を単純化でき、シリコン基板表面にテクスチャー構造を効率よく形成できる量産性の高いドライエッチング装置を提供する。【解決手段】シリコン基板S表面にテクスチャー構造を形成するための本発明のドライエッチング装置EMは、処理室10内で所定間隔を存して配置される第1電極2と第2電極3とを備える。第1電極2を、処理室内でシリコン基板を保持する基板ステージとすると共に、第2電極を、シリコン基板に対向配置される金属板4とし、この金属板に4MHz〜60MHzの範囲内の所定の第1周波数で交流電力を投入する第1電源41を設ける。金属板に、300Hz〜900kHzの範囲内の所定の第2周波数で交流電力を重畳させて投入する第2電源43を更に備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面にテクスチャー構造を形成するためのドライエッチング装置であって、 真空処理室内で所定間隔を存して配置される第1電極と第2電極とを備え、 第1電極を、真空処理室内でシリコン基板を保持する基板保持手段とすると共に、第2電極を、シリコン基板に対向配置される金属板とし、この金属板に4MHz〜60MHzの範囲内の所定の第1周波数で交流電力を投入する第1電源を設けたものにおいて、 前記金属板に、300Hz〜900kHzの範囲内の所定の第2周波数で交流電力を重畳させて投入する第2電源を更に備えることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/302 105B ,  H01L31/04 H ,  H01L21/302 101B

Fターム (22件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004CA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB22 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池用基板の粗面化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-293030   出願人：京セラ株式会社
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-306649   出願人：株式会社アルバック
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-228379   出願人：東京エレクトロン株式会社