転写装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249304
公開番号（公開出願番号）：特開2013-032022
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：

【課題】薄膜の抵抗値を必要以上に高くすることなく、従来よりも微細化および高歩留り化を実現することが可能な金属薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】触媒材料を含むインク2Aが転写された基板40に対し、無電解めっき処理を施す。基板40上のうちのインク2Aの転写領域に対し、金属薄膜42が選択的に形成される。また、平板ブランケット1を用いてインク2を転写させると共に、転写工程において加圧圧縮により接触を行う。位置合わせが容易となると共に接触の際の圧力が全体として均一化され、金属薄膜42を形成する際の歩留りが向上する。また、インク2中に、金属薄膜42の材料自体ではなく、無電解めっき処理の触媒材料が含まれるようにする。従来と比べ、金属薄膜42の抵抗値が低くなると共に、パターンの微細化が容易となる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

平板ブランケットを固定するための第1のステージと、凸版または基板を固定するための第2のステージと、前記平板ブランケットの外周部を、前記第1のステージに固定するための固定部とを備え、前記第1のステージには、圧縮空気を噴射するための空気導入口が設けられている転写装置。

IPC (3件)：

B41F 17/14 , H05K 3/12 , B41F 1/00

FI (3件)：

B41F17/14 E , H05K3/12 630Z , B41F1/00 B

Fターム (9件)：

5E343AA11 , 5E343BB23 , 5E343BB25 , 5E343BB48 , 5E343BB72 , 5E343DD02 , 5E343DD56 , 5E343FF02 , 5E343GG20

引用特許：

審査官引用 (5件)

平面オフセツト印刷装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-216354 出願人：日本精工株式会社
特開平4-010974
特開平4-140186

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