半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-015540
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157399
出願日： 2012年01月27日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】ゲート抵抗が低く、且つゲート長が短く、且つ高電圧動作時に電界集中を緩和できるゲート電極を有する半導体装置を提供する。【解決手段】この発明に係る電界効果型トランジスタは、ゲート電極8と、ゲート電極8を覆いかつゲート電極8と接触するシリコンを含む材料からなる誘電膜9と、誘電膜9の上層であってゲート電極の上に該ゲート電極と導通するフィールドプレート電極11とを備え、ゲート電極8は、前記誘電膜9と接触する側にシリサイド化する金属層10を有し、ゲート電極8とフィールドプレート電極11とは、誘電膜9とゲート電極8とが反応してシリサイド化した電極接合領域10を介して導通している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタを備える半導体装置であって、前記電界効果型トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆いかつ前記ゲート電極と接触するシリコンを含む材料からなる誘電膜と、前記誘電膜の上層であって前記ゲート電極の上に該ゲート電極と導通するフィールドプレート電極とを備え、前記ゲート電極は、前記誘電膜と接触する側にシリサイド化する金属層を有し、前記ゲート電極と前記フィールドプレート電極とは、前記誘電膜と前記ゲート電極とが反応してシリサイド化した電極接合領域を介して導通していることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/06 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 21/316 , H01L 21/205

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/06 301F , H01L29/44 Y , H01L29/58 Z , H01L21/316 X , H01L21/205

Fターム (60件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB19 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB30 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE06 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104FF10 , 4M104GG12 , 4M104HH18 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045CA06 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GS01 , 5F102GS02 , 5F102GS03 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GT06 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC10 , 5F102HC21

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