特許
J-GLOBAL ID：201303091999583974
基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 松田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-012016
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153002
出願日： 2012年01月24日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】絶縁層に印加される熱応力を低減し、絶縁層のクラックの発生を抑制できる基板を提供する。【解決手段】電子部品を実装する基板において、放熱板2と、放熱板2の表面に形成されたポーラスニッケルめっき層1と、ポーラスニッケルめっき層1の、放熱板2とは反対側の表面に形成された絶縁層3とを備える。温度サイクルで生じる温度変化により放熱板2が大きく膨張しても、ポーラスニッケルめっき層1の弾性率が小さいために、絶縁層3に誘起される熱応力が緩和される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子部品を実装する基板において、
放熱板と、
前記放熱板の表面に形成されたポーラスニッケルめっき層と、
前記ポーラスニッケルめっき層の、前記放熱板とは反対側の表面に形成された絶縁層とを備えた基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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