特許

J-GLOBAL ID：201303092048211399

オーミック電極の形成方法

発明者： 江川 孝志 ,  小田 修
出願人/特許権者： 国立大学法人 名古屋工業大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-031189
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168524
出願日： 2012年02月16日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】融点の高い半導体材料等にオーミック電極を形成する方法を提供する。【解決手段】融点の高い半導体材料にオーミック電極を形成するために、金属4を半導体材料にあらかじめ吸着させておいて、その後電極材料2を直接堆積、あるいは真空蒸着、CVD等により形成して電極を形成させる方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体材料にオーミック電極用金属を堆積させる前に、当該電極用金属ないしは他の金属を予め電極堆積部に吸着させ、その上にオーミック電極材料を堆積させるオーミック電極の形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/28

FI (1件)：

H01L21/28 301B

Fターム (9件)：

4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104HH15