特許
J-GLOBAL ID：201303092071172821
半導体装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-171016
特許番号：特許第5122017号
出願日： 2012年08月01日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い
半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装
置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供
することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一と
する。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化
物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体
層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の
添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを
用いて添加する方法が好ましい。
【選択図】図2
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に酸素を添加して、水素と前記酸化物半導体層を構成する金属との間の結合、水酸基と前記金属との間の結合、または前記金属に結合する水酸基の酸素と水素との間の結合を切断する工程と、
前記酸素が添加された前記酸化物半導体層に250°C以上700°C以下の加熱処理を施して前記酸化物半導体層に含まれる水素の濃度を低減する工程と、を含む半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/425 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 F
, H01L 21/265 W
, H01L 21/425
