特許
J-GLOBAL ID：201303092227246375
光電変換素子および光電変換素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
川上 桂子
, 松山 隆夫
, 坂根 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-053010
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187462
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
【課題】裏面接合型の光電変換素子において、優れた変換効率を有する構成を得る。【解決手段】光電変換素子の製造方法は、単結晶シリコン基板10の導電型と同じ導電型を有する第1ドーパントを供給する第1ドーパント源21と、前記単結晶シリコン基板10の導電型と反対の導電型を有する第2ドーパントを供給する第2ドーパント源42とが前記単結晶シリコン基板10の片面に接して形成された基板1を準備する工程と、前記基板1を熱処理して前記第1および第2ドーパントを前記単結晶シリコン基板10に拡散する第1熱処理工程と、幅が狭くなるように前記第2ドーパント源42を少なくともエッチングするパターニング工程と、前記パターニング工程後の基板を、前記第1熱処理工程よりも高い温度および/または長い時間で熱処理して前記第2ドーパントを少なくとも前記単結晶シリコン基板10へ拡散する第2熱処理工程とを備える。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板の導電型と同じ導電型を有する第1ドーパントを供給する第1ドーパント源と、前記単結晶シリコン基板の導電型と反対の導電型を有する第2ドーパントを供給する第2ドーパント源とが前記単結晶シリコン基板の片面に接して形成された基板を準備する工程と、
前記基板を熱処理して前記第1および第2ドーパントを前記単結晶シリコン基板に拡散する第1熱処理工程と、
幅が狭くなるように前記第2ドーパント源を少なくともエッチングするパターニング工程と、
前記パターニング工程後の基板を、前記第1熱処理工程よりも高い温度および/または長い時間で熱処理して前記第2ドーパントを少なくとも前記単結晶シリコン基板へ拡散する第2熱処理工程とを備える、光電変換素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB12
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA10
, 5F151FA06
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
