特許

J-GLOBAL ID：201303092287010885

金属エッチング用組成物、および金属エッチング用組成物を用いた半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 冬樹 ,  斉藤 康夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志 ,  高橋 正俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-136541
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004871
出願日： 2011年06月20日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

【課題】基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供する。【解決手段】本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が8〜30質量%、塩基性化合物の添加量が1〜15質量%、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない25°CでのpHが8以上の水溶液であることを特徴とする。過酸化水素をさらに添加することによりタングステン系金属とチタン系金属の積層膜あるいは合金膜の除去に適用することができる。他方、過酸化水素を無添加とすることにより、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

過硫酸塩の添加量が8〜30質量%、塩基性化合物の添加量が1〜15質量%、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない25°CでのpHが8以上の水溶液であることを特徴とする金属エッチング用組成物。

IPC (5件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/532

FI (3件)：

H01L21/308 F ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 M

Fターム (26件)：

5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS08 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02