特許
J-GLOBAL ID：201303092508900350
酸化物半導体、これを含む薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタ表示板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-201961
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070052
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】理論的根拠に基づいて酸化物半導体の母材料に添加される物質を使用することによって、優れた特性を有する酸化物半導体、これを含む薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタ表示板を提供する。【解決手段】 本発明の一実施形態に係る酸化物半導体は、亜鉛(Zn)及び錫(Sn)のうちの少なくとも一つの元素を含む第1物質、及び前記第1物質に添加される第2物質を含み、前記第1物質と酸素(O)との電気陰性度差値から前記第2物質と酸素(O)との電気陰性度差値を引いた値が1.3以下であることを特徴とする。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
亜鉛(Zn)及び錫(Sn)のうちの少なくとも一つの元素を含む第1物質、及び
前記第1物質に添加される第2物質を含み、
前記第1物質と酸素(O)との電気陰性度差値から前記第2物質と酸素(O)との電気陰性度差値を引いた値が1.3以下であることを特徴とする酸化物半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/78 618B
, H01L29/24
5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG13
, 5F110GG26
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HL07
, 5F110HM04
, 5F110HM05
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN72
, 5F110NN73
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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