特許
J-GLOBAL ID:201303092648904720

静止状態及び流動状態のガスを用いて超低温冷却クライオスタットにおける温度を制御するための方法およびその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 名越 秀夫 ,  生田 哲郎
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-557291
公開番号(公開出願番号):特表2013-522574
出願日: 2011年03月11日
公開日(公表日): 2013年06月13日
要約:
【課題】 物質の物性を測定するための温度調節を提供する高信頼性のクライオスタットを提供する。【解決手段】本発明のクライオスタットはサンプル空間(21)に可変磁場を生成するための超電導磁石アセンブリ(19)を使用し、また前記サンプル空間を冷却するための超低温クーラー(30,31,33,50,52)を使用する。超低温冷却クーラーチャンバ(22)の構成は超低温冷却クーラーの別の段間で効率的な熱交換を提供し、物理的な熱リンクを必要としない。この構造では超低温冷却クーラーからクライオスタット内部の所望の領域への冷却力の選択的供給が可能でフレキシブルな物理的熱リンクを用いない。カウンターフロー交換器(43)と環境温度弁(40,46)により超低温冷却クーラーの冷却段(30,31)を効率的に使用出来る。掃引モードで動作しつつ超伝導磁石により生成される大量の熱負荷の除去が、一部で超低温冷却クーラーチャンバと磁石アセンブリの間に固体(27)熱伝導カップリングエレメントを用いることで実現される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
温度を調節するためのクライオスタット装置であって、前記装置は 少なくともひとつのサイホン効果ポート(53,57,61)を備えた超低温クーラーチャンバ(22)と、少なくともひとつの温度減少段(30,31)を備えた超低温クーラー(30,31,33,50,52)を含み、前記超低温クーラーは少なくとも部分的に前記超低温クーラーチャンバ内部に存在する ことを特徴とする装置。
IPC (1件):
F25B 9/02
FI (1件):
F25B9/02 B

前のページに戻る