特許
J-GLOBAL ID：201303092695995091
不揮発性記憶装置、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278990
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131579
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】データ保持特性の向上を図ることができる不揮発性記憶装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】不揮発性記憶装置1は、第1の電極3と、第2の電極8と、第1の電極3と第2の電極8との間に設けられたメモリセル2と、を備えた不揮発性記憶装置である。このメモリセル2は、第1の電極3の上に設けられ、電子トラップを有する保持部5と、保持部5の上に設けられる抵抗変化部6と、抵抗変化部6と、第2の電極8と、の間に設けられ、金属元素を含むイオン供給部7と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられたメモリセルと、を備えた不揮発性記憶装置であって、
前記メモリセルは、
前記第1の電極の上に設けられ、電子トラップを有する保持部と、
前記保持部の上に設けられる抵抗変化部と、
前記抵抗変化部と、前記第2の電極と、の間に設けられ、金属元素を含むイオン供給部と、
を有する不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083GA27
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083PR40
