逆導通パワー半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：蔵田昌俊 , 福原淑弘 , 中村誠 , 野河信久 , 白根俊郎 , 峰隆司 , 砂川克
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-530733
公開番号（公開出願番号）：特表2013-543260
出願日： 2011年09月29日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

逆導通パワー半導体デバイスは、複数のダイオードセル(96)およびIGCTセル(91)を具備する。各IGCTセルは、ウェハ(10)の第1および第2の主面(11),(15)の間に以下の順で複数の層を具備する:カソード電極(2)、第1のカソード層(4)、ベース層(6)、ドリフト層(3)、バッファ層(8)、第1のアノード層(5)、および第1のアノード電極(25)。各IGCTセルは、第1のカソード層の横に配置され、それとはベース層によって分離されているゲート電極をさらに具備する。各ダイオードセルは、ドリフト層によってベース層から分離された2のアノード層(55)にコンタクトする、第1の主面上の第2のアノード電極(28)、および第2の主面上で第1のアノード層と交互に配置された第2のカソード層(45)を具備する。前記デバイスは、少なくとも一つの混合部(99)を具備し、その中ではダイオードセルの第2のアノード層はIGCTセルの第1のカソード層と交互する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の主面(11)および前記第1の主面(11)に平行に配置された第2の主面(15)を有するウェハ(10)を伴う逆導通パワー半導体デバイス(1)であって、前記デバイスは、複数のダイオードセル(96)および複数のIGCTセル(91)を具備すること、ここにおいて、各IGCTセル(91)は、前記第1および第2の主面(11,15)の間に以下の順で複数の層を具備する: - カソード電極(2)、 - 第1導電型の第1のカソード層(4)、 - 第2導電型のベース層(6)、 - 前記第1導電型のドリフト層(3)、 - 前記第1導電型のバッファ層(8)、 - 前記第2導電型の第1のアノード層(5)、 - 第1のアノード電極(25)。ここにおいて、各IGCTセル(91)は、前記第1のカソード層(4)の横に配置され、そして、それとは前記ベース層(6)によって分離されているゲート電極をさらに具備し、ここにおいて、各ダイオードセル(96)は、前記第1の主面(11)上の第2のアノード電極(28)、前記ドリフト層(3)によって前記ベース層(6)から分離された前記第2導電型の第2のアノード層(55)、および、前記第2の主面(15)上で前記第1のアノード層(5)と交互に配置された前記第1導電型の第2のカソード層(45)を具備し、および、ここにおいて、前記デバイスは、少なくとも一つの混合部(99)を具備しており、その中では前記ダイオードセル(96)の前記第2のアノード層(55)は前記IGCTセル(91)の前記第1のカソード層(4)と交互する。

IPC (4件)：

H01L 29/74 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/322

FI (6件)：

H01L29/74 H , H01L29/74 G , H01L29/91 J , H01L29/91 C , H01L29/91 K , H01L21/322 K

Fターム (8件)：

5F005AB01 , 5F005AC01 , 5F005AD01 , 5F005AG03 , 5F005BA02 , 5F005CA01 , 5F005DA02 , 5F005GA01

前のページに戻る