特許
J-GLOBAL ID:201303092703110959

固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、固体撮像装置、および電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 松尾 憲一郎 ,  市川 泰央
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-016684
公開番号(公開出願番号):特開2013-157440
出願日: 2012年01月30日
公開日(公表日): 2013年08月15日
要約:
【課題】電極構造を変えることなく、多量の信号電荷が転送される駆動モードにおいても電荷検出部で取り扱うことができる最大の信号電荷量について不足が生じないように取り扱い電荷量を確保するとともに、低輝度撮影時に生じやすい信号残しによる感度比のずれを抑制する。【解決手段】光電変換により信号電荷を生成する複数の受光部と、転送電極を有し、この転送電極に駆動電圧の印加を受けることで受光部により生成された信号電荷を転送する電荷転送部20と、電荷転送部20により転送された信号電荷を検出する電荷検出部28と、ゲート電極を有し、最終段に転送された信号電荷を電荷検出部に転送させる出力ゲート部24と、電荷転送部20により転送される信号電荷の量の多少に応じて、ゲート電極24aに、第1の電圧と該第1の電圧よりも低い第2の電圧とを切り替えて印加するゲート電圧印加部30と、を備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
半導体基板に設けられ、光電変換により信号電荷を生成する複数の受光部と、 前記半導体基板上に設けられた転送電極を有し、該転送電極に駆動電圧の印加を受けることで前記受光部により生成された信号電荷を転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部により転送された信号電荷を検出する電荷検出部と、 前記半導体基板上にて前記電荷転送部の最終段の前記転送電極に隣り合う位置に設けられたゲート電極を有し、前記最終段に転送された信号電荷を前記電荷検出部に転送させる出力ゲート部と、 前記電荷転送部により転送される信号電荷の量の多少に応じて、前記ゲート電極に、第1の電圧と該第1の電圧よりも低い第2の電圧とを切り替えて印加するゲート電圧印加部と、を備える、 固体撮像素子。
IPC (2件):
H01L 27/148 ,  H04N 5/372
FI (2件):
H01L27/14 B ,  H04N5/335 720
Fターム (21件):
4M118AA02 ,  4M118AA03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA02 ,  4M118DA02 ,  4M118DB06 ,  4M118DB07 ,  4M118DB08 ,  4M118DB11 ,  4M118DB13 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX06 ,  5C024GY25

前のページに戻る