特許
J-GLOBAL ID：201303092754784733
多孔質化低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された多孔質化低誘電率絶縁膜及び該多孔質化低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
, 渡邊 弘一
, 伊藤 壽郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301910
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127152
特許番号：特許第4756526号
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一般式1
上記一般式1に於いて、
R1 〜R3 は互いに異なっても良く、H又はCH3 及び-0-。
1は5〜200の整数。
及び一般式2
上記一般式2に於いて、
R6 〜R9 のうち一つはHであり、その他は互いに異なっても良く、
H又はF及びCH3 。
nは5〜100の整数。
の中から選ばれたシロキサン樹脂に一般式3
上記一般式3に於いて、
R4 〜R5 は互いに異なっても良く、Hまたはいずれか一方がCH3 。
mは10〜400の整数。
に示す重量平均分子量が500〜20000のポリカルボシランを該シロキサン樹脂に対し10〜70重量部を添加した組成物を溶剤に稀釈して塗布溶液を作成する工程と、
該塗布溶液をスピン・コートしてから温度を120〔°C〕〜250〔°C〕として溶剤乾燥及びシロキサンの架橋を行う工程と、
温度が300〔°C〕以上で且つ酸素濃度が100〔ppm〕以下である不活性雰囲気中でポリカルボシランを揮発または分解除去する工程と
が含まれてなることを特徴とする多孔質化低誘電率絶縁膜の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/312 ( 200 6.01)
, C07F 7/04 ( 200 6.01)
, C08J 3/24 ( 200 6.01)
, C08L 83/04 ( 200 6.01)
, C08L 83/16 ( 200 6.01)
H01L 21/90 N
, H01L 21/90 S
, H01L 21/90 Q
, H01L 21/312 C
, C07F 7/04 K
, C08J 3/24
, C08L 83/04
, C08L 83/16
