特許

J-GLOBAL ID：201303093075543260

撮像素子および撮像装置

発明者： 鈴木 智
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-088516
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219180
出願日： 2012年04月09日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】従来の撮像装置において、配線パターンが形成された導電層が光電変換素子より被写体側に設けられると、入射した光束が、光電変換素子が設けられた基板の表面と導電層との間で反射を繰り返し、視差を生じさせる部分光束以外の光束が光電変換素子に到達する場合があった。【解決手段】撮像素子は、入射光束の第1部分光束を通過させるように位置づけられた第1開口を有する第1開口マスクと、第1光電変換素子と、第1部分光束と異なる入射光束の第2部分光束を通過させるように位置づけられた第2開口を有する第2開口マスクと、第2光電変換素子と、第1光電変換素子および第2光電変換素子の側の面に反射防止膜が形成された導電層とを備え、第1開口マスクおよび第1光電変換素子を含んで構成される第1視差画素と、第2開口マスクおよび第2光電変換素子を含んで構成される第2視差画素とを含む画素群を基本格子とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

入射光束の第1部分光束を通過させるように位置づけられた第1開口を有する第1開口マスクと、 前記第1部分光束を電気信号に光電変換する第1光電変換素子と、 前記第1部分光束と異なる前記入射光束の第2部分光束を通過させるように位置づけられた第2開口を有する第2開口マスクと、 前記第2部分光束を電気信号に光電変換する第2光電変換素子と、 前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子より前記入射光側の入射側に設けられ、前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子の側の面に反射防止膜が形成された導電層と を備え、 前記第1開口マスクおよび前記第1光電変換素子を含んで構成される第1視差画素と、前記第2開口マスクおよび前記第2光電変換素子を含んで構成される第2視差画素とを含む画素群を基本格子とする撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/369

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 690

Fターム (24件)：

4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA25 ,  4M118CA34 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GB07 ,  4M118GB10 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX02