特許

J-GLOBAL ID：201303093233286075

半導体物理量センサ

発明者： 野原 一也
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (5件)： 伊藤 正和 ,  林 康旨 ,  細川 覚 ,  松本 隆芳 ,  森 太士
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-090130
公開番号（公開出願番号）：特開2013-217835
出願日： 2012年04月11日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】センサ感度を低下させることなく、最両側に配置される櫛歯電極の破損を抑制することの可能な半導体物理量センサを得る。【解決手段】アンカー部6と、アンカー部6にばね部12を介して揺動自在に支持される可動電極部8と、可動電極部8に櫛歯状に噛合される固定電極部10(11)とを備える。そして、固定電極部10(11)の櫛歯部分10T(11T)のうち最両側に配置される一対の第1の櫛歯電極10Ta′,10Ta′(11Ta′,11Ta′)を、それ以外の第2の櫛歯電極10Ta′′(11Ta′′)よりも短くして、固有振動数をセンサ製造工程中の周波数から遠ざける。また、複数の第2の櫛歯電極10Ta′′(11Ta′′)を互いに等しい長さに形成して静電容量を確保する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

アンカー部と、 前記アンカー部にばね部を介して揺動自在に支持される可動電極部と、 前記可動電極部に櫛歯状に噛合される固定電極部と、を備え、 前記固定電極部は、櫛歯部分のうち最両側に配置される一対の第1の櫛歯電極と、前記第1の櫛歯電極間に配置される複数の第2の櫛歯電極とを有しており、 前記第1の櫛歯電極を、前記第2の櫛歯電極よりも短く形成するとともに、前記第2の櫛歯電極を、互いに等しい長さに形成したことを特徴とする半導体物理量センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01P15/125 Z ,  H01L29/84 Z

Fターム (14件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA22 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112CA35 ,  4M112DA03 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  4M112FA01 ,  4M112FA07