特許

J-GLOBAL ID：201303093401144770

抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の動作方法

発明者： 寺井 真之
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-200406
公開番号（公開出願番号）：特開2013-062401
出願日： 2011年09月14日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

【課題】低電圧かつ高速なスイッチング動作を、低いばらつきで実現可能な抵抗変化型不揮発記憶装置を提案する。【解決手段】抵抗変化型不揮発性記憶装置は、第1電極14と、第1電極14上に設けられた抵抗変化部18と、抵抗変化部18上に設けられた第2電極11とを具備している。抵抗変化部18は、第1電極14上に設けられ、印加する電圧により抵抗が変化する抵抗変化層13と、抵抗変化層13上に設けられ、フィラメントを形成する安定層12とを備えている。抵抗変化層と安定層は異なる金属酸化物である。抵抗変化層の酸化物生成エネルギーは、安定層の酸化物生成エネルギーよりも高い。抵抗変化層13の膜厚は、抵抗変化部18のオフ状態の抵抗が膜厚で律速される範囲の抵抗になるような値を有する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

第1電極と、 前記第1電極上に設けられた抵抗変化部と、 前記抵抗変化部上に設けられた第2電極と を具備し、 前記抵抗変化部は、 前記第1電極上に設けられ、印加する電圧により抵抗が変化する抵抗変化層と、 前記抵抗変化層上に設けられ、フィラメントを形成する安定層と を備え、 前記抵抗変化層と前記安定層は異なる金属酸化物であり、 前記抵抗変化層の酸化物生成エネルギーは、前記安定層の酸化物生成エネルギーよりも高く、 前記抵抗変化層の膜厚は、前記抵抗変化部のオフ状態の抵抗が前記膜厚で律速される範囲の抵抗になるような値を有する 抵抗変化型不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 27/10

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/10 461

Fターム (16件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13