特許

J-GLOBAL ID：201303093457110274

インジェクタ制御装置

発明者： 稲葉 行則
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 田下 明人 ,  立石 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-014105
公開番号（公開出願番号）：特開2013-151925
出願日： 2012年01月26日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】簡易な構成にてインジェクタによる開弁時間を高精度に制御し得るインジェクタ制御装置を提供する。【解決手段】第3トランジスタ43のゲート-ドレイン間に配置されるツェナーダイオード44aを有し当該ゲート-ドレイン間の電圧をクランプ電圧Vclでクランプするクランプ回路44が設けられている。そして、第3トランジスタ43のオフ後に測定される補正用クランプ電圧Vclaが基準電圧よりも低い場合には噴射設定期間Tが基準期間Toよりも短く補正され、補正用クランプ電圧Vclaが基準電圧よりも高い場合には噴射設定期間Tが基準期間Toよりも長く補正される。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

設定された噴射設定期間(T)に応じた電圧を印加することでインジェクタ(50)を駆動制御するインジェクタ制御装置(10)であって、 前記インジェクタの高電位側に接続される高電位側トランジスタ(41,42)と、 前記インジェクタの低電位側に接続される低電位側トランジスタ(43)と、 前記噴射設定期間に応じて前記高電位側トランジスタおよび前記低電位側トランジスタのオンオフ状態を制御する制御手段(20)と、 前記低電位側トランジスタのゲート-ドレイン間に配置されるツェナーダイオード(44a)を有し当該ゲート-ドレイン間の電圧をクランプ電圧(Vcl)でクランプするクランプ回路(44)と、 前記クランプ電圧を測定する測定手段(11)と、 前記低電位側トランジスタのオフ後に前記測定手段により測定される補正用クランプ電圧(Vcla)が基準電圧よりも低い場合には前記噴射設定期間を基準期間(To)よりも短く補正し、当該補正用クランプ電圧が前記基準電圧よりも高い場合には前記噴射設定期間を前記基準期間よりも長く補正する補正手段(11)と、 を備えることを特徴とするインジェクタ制御装置。

IPC (1件)：

F02D 41/34

FI (1件)：

F02D41/34 N

Fターム (11件)：

3G301HA01 ,  3G301JA08 ,  3G301LB01 ,  3G301LC10 ,  3G301MA11 ,  3G301NA08 ,  3G301NE01 ,  3G301NE06 ,  3G301NE16 ,  3G301PB03Z ,  3G301PG02Z