特許
J-GLOBAL ID:201303093567549204
成膜方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-267567
公開番号(公開出願番号):特開2013-153143
出願日: 2012年12月06日
公開日(公表日): 2013年08月08日
要約:
【課題】添加量の制御性及び均一性を向上できる成膜方法を提供する。【解決手段】複数のウエハが載置される回転テーブルと、回転テーブルの上方に区画される第1の反応ガス供給領域、第2の反応ガス供給領域、及びこれらを分離する分離領域とを有する成膜装置において、第2の反応ガス供給領域に反応ガスを供給せずに、第1の反応ガス供給領域に第1の反応ガスを供給し、回転テーブルの回転によりウエハを第1の反応ガスに曝すことにより当該ガスをウエハ表面を吸着させるステップと、このステップに引き続いて、第1の反応ガス供給領域に反応ガスを供給せずに、第2の反応ガス供給領域に第2の反応ガスを供給し、回転テーブルの回転によりウエハを第2の反応ガスに曝すことにより、ウエハ表面に吸着された第1の反応ガスを第2の反応ガスと反応させるステップとを含む成膜方法により上記の課題が達成される。【選択図】図6
請求項(抜粋):
真空容器内に回転可能に収容され、複数の基板が載置される載置部を上面に有する回転テーブルと、
前記回転テーブルの前記上面の上方において区画される第1の処理領域に配置され、前記回転テーブルの前記上面に向けてガスを供給する第1のガス供給部と、
前記回転テーブルの周方向に沿って前記第1の処理領域から離間する第2の処理領域に配置され、前記回転テーブルの前記上面に対してガスを供給する第2のガス供給部と、
前記真空容器内において前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との間に設けられ、
前記回転テーブルの前記上面に対して分離ガスを供給する分離ガス供給部、及び
前記分離ガス供給部からの前記分離ガスを前記第1の処理領域と前記第2の処理領域へ導く狭隘な空間を前記回転テーブルの前記上面に対して形成する天井面であって、前記回転テーブルの外縁に向かう方向に沿って、前記回転テーブルの周方向に沿う幅が大きくなる当該天井面を含む分離領域と
を備える成膜装置において行われる成膜方法であって、
前記回転テーブルを回転しながら、前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給して前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とを分離しつつ、前記第2のガス供給部から反応ガスを供給することなく、前記第1のガス供給部から第1の反応ガスを所定の期間供給することにより、前記基板の表面に前記第1の反応ガスを吸着させる吸着ステップと、
前記回転テーブルを回転しながら、前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給して前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とを分離しつつ、前記第1のガス供給部から反応ガスを供給することなく、前記第2のガス供給部から前記第2の反応ガスを所定の期間供給することにより、前記基板の表面に吸着する前記第1の反応ガスを前記第2の反応ガスと反応させる反応ステップと、
を含み、前記第1の反応ガスと前記第2の反応ガスとの反応生成物の薄膜を前記基板の表面に成膜する成膜方法。
IPC (4件):
H01L 21/31
, H01L 21/316
, C23C 16/455
, C23C 16/40
FI (4件):
H01L21/31 B
, H01L21/316 X
, C23C16/455
, C23C16/40
Fターム (36件):
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030AA18
, 4K030BA42
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030HA01
, 4K030KA02
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AA15
, 5F045AB31
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AC17
, 5F045AD08
, 5F045BB01
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045EE14
, 5F045EE19
, 5F045EF09
, 5F058BC03
, 5F058BD01
, 5F058BD05
, 5F058BF07
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF37
引用特許:
前のページに戻る